论文编号:WLX029 字数:11640,页数:20
摘 要
量子阱器件是指采用量子阱材料作为有源区的光电子器件,材料生长一般是采用MOCVD外延技术。量子阱有着酷似三明治的结构,中间是很薄的一层半导体膜,外侧是两个隔离层。用激光朝量子阱照射一下,可以使中间的半导体层里产生电子和带正电的空穴 。本文主要介绍化合物半导体量..
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