IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进(一)

摘要：介绍了IXYS公司大功率IGBT驱动芯片IXDN404的特点及性能，并在此基础上，根据IGBT驱动的实际要求，设计出了一种具有过流保护及慢关断功能的简单有效的驱动电路，给出了实际电路图和驱动波形。
    关键词：IGBT；驱动与保护；IXDN404
引言
 绝缘栅晶体管IGBT是近年来发展最快而且很有前途的一种复合型器件，并以其综合性能优势在开关电源、UPS、逆变器、变频器、交流伺服系统、DC/DC变换、焊接电源、感应加热装置、家用电器等领域得到了广泛应用。然而，在其使用过程中，发现了不少影响其应用的问题，其中之一就是IGBT的门极驱动与保护。目前国内使用较多的有富士公司生产的EXB系列，三菱公司生产的M579系列，MOTOROLA公司生产的MC33153等驱动电路。这些驱动电路各有特点，均可实现IGBT的驱动与保护，但也有其应用限制，例如：驱动功率低，延迟时间长，保护电路不完善，应用频率限制等。本文，以IXYS公司生产的IGBT驱动芯片IXDN404为基础，介绍了其特性和参数，设计了实际驱动与保护电路，经过实验验证，可满足IGBT的实际驱动和过流及短路时实施慢关断策略的保护要求。1 IXDN404驱动芯片简介
 IXDN404为IXYS公司生产的高速CMOS电平IGBT/MOSFET驱动器，其特性如下：
 --高输出峰值电流可达到4A；
 --工作电压范围4.5V～25V；
 --驱动电容1800pF<15ns；
 --低传输延迟时间；
 --上升与下降时间匹配；
 --输出高阻抗；
 --输入电流低；
 --每片含有两路驱动；
 --输入可为TTL或CMOS电平。
 其电路原理图如图1所示，主要电气参数如表1所列。
表1 IXDN404主要电气参数
符 号  参  数  测试条件  最小值  典型值  最大值  单位  
Vih  输入门限电压，逻辑1  空 3.5  空 空 V  
Vil  输入门限电压，逻辑0  空 空 空 0.8  V  
Voh  输出电压，逻辑1  空 Vcc－0.025  空 空 V  
Vol  输出电压，逻辑0  空 空 空  0.025  V  
Ipeak  峰值输出电流 Vcc=18V  4  空 空 A  
Idc  连续输出电流 Vce=18V  空 空 1  A  
tr  上升时间  C1=1800pF Vcc=18V  11  12  15  ns  
tf  下降时间  C1=1800pF Vcc=18V  12  14  17  ns  
tond  上升时间延迟  C1=1800pF Vcc=18V  33  34  38  ns  
toffd  下降时间延迟 C1=1800pF Vcc=18V  28  30  35  ns  
Vcc  供电电压 空 4.5  18  25  V  
Icc  供电电流  Vin=＋Vcc  空 空 10  μA  
2 驱动芯片应用与改进
 图2为IXDN404组成的IGBT实用驱动与保护电路，该电路可驱动1200V/100A的IGBT，驱动电路信号延迟时间不超过150ns，所以开关频率图2由IXDN404组成的IGBT保护与驱动电路图1IXDN404电路原理图可以高达100kHz。可应用于DSP控制的高频开关电源、逆变器、变频器等功率电路中。根据IXYS公司的使用手册，IXDN404仅能提供0～＋Vcc的驱动脉冲。我们在此基础上，增加5.1V稳压二极管Z3以实现－5V偏置电压；由稳压管电压为光耦6N137和反相器CD4069供电，节省了一路驱动电源；增加降栅压及慢关断保护电路，实现IGBT的保护功能；降栅压及慢关断电路是通过控制IXDN404供电电压Vcc来实现的，明显不同于其它保护电路的前级降压控制方式。下面介绍其工作原理。
 2.1 正常开通过程
 当控制信号为高电平时，快速光耦6N137导通，经过一级反相，输入IXDN404，输出＋15V脉冲，IGBT正常导通。同时，由于光耦输出为反相，V4截止，V5导通，C1由电源充电，C1电压不会超过9V，这是因为IGBT正常导通时Vces不高于3V，二极管D2导通，A点电位箝位在8V，加上电阻R10的压降，C点电位接近9V。Z1截止，V2截止，V1导通，B点电位接近20V；Z2截止，V3截止，D点电位接近B点电位。C1充电时间常数τ1=R9×C1=2.42μs，C1充电到9V的时间为
 t1=τ1ln[20/(20-19)]=1.45μs    （1）
 2.2 正常关断过程
 当控制信号为低电平，光耦输出高电平，反相输出低电平，由于Z3箝位IXDN404输出脉冲为－5V，IGBT正常关断。这时，V4导通，V5截止，C点电位保持在9V；Z1截止，V2截止，V1导通，B点电位接近20V；Z2截止，V3截止，D点电位接近B点电位。图2    2.3 保护过程
 设IGBT已经导通，各点电位如2.1所说。当电路过流时，IGBT因承受大电流而退出电阻区，Vces上升，二极管D2截止，A点对电容C1的箝位作用消失；C点电位从9V上升，同时Z1反向击穿，V2导通，V1截止，B点电位由R1和Rc以及IXDN404芯片内阻分压决定，箝位在15V，栅压降为10V。栅压的下降可有效地抑制故障电流并增加短路允许时间。降栅压运行时间为
 t2=τ1ln(20-0)/(20-13)=1.09μs    （2）
 如果在这段时间内，电路恢复正常，D2导通，A点继续箝位，V2截止，V1导通，电路恢复2.1所说状态。如果D2仍处于断态，也就是故障电流仍然存在，C点电压继续上升，经过t2时间上升到13V，Z2反向击穿，V3导通，电容C2通过电阻R12放电，D点与B点电位同时下降，IGBT栅压逐渐下降，实现慢关断过程，避免了正常

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